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《步进电机步距角度精度的测量》一文中提到的是两相HB型步进电机的例子，如每4步进位置，精度大幅提高。，每1.8°位置时，1.8°并非使用全步进，而是使用0.9°的步进电机，以2步进驱动1.8°位置，全步进选择0.6°的步进电机，3步进驱动有0.6°×3=1.8°的驱动方式。此种方式可以大大提高精度。电机的改善微调定子结构的改善：已知定子的微调结构能改善位置精度。以两相电机为例，微调结构，可以降低齿槽转矩，距角特性变为正弦波。

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对51单片机的操作本质上就是对寄存器的操作，对其他单片机也是如此。库只是一个接口，方便使用者使用而已。看一下单片机功能：包换内部FLASRAM、TIMER、INT、ADUSISP/IAR等。编译环境、编程软件KEIL。打发板的例子程序，在KEIL编译，到板，看结果和说明是不是相符，达到这样效果时，心里肯定很激动，这时真正学会了单片机，成功了。然后再学会看电路图，电路图其实很简单，就是一根线从一个地方连接到另一个地方，写代码时，只记住单片机是哪一个管脚，然后对它写代码即可。HB型要通过轴向磁路形成三维磁路，并且定子铁心叠片很厚，磁通要垂直穿过铁心叠片；而RM型步进电机的转子磁路垂直于输出轴平面流通，定子磁路沿硅钢片压延方向形成，故磁路变短，磁阻减小。RM型的转子表面因没有HB型的软磁材料，所以没有磁阻、电感小，适用于高速运行。从上述分析看出，该电机适用于高速、髙输出功率、低振动、低噪音场合。与HB型比较，因磁极数的限制，难以达到高分辨率（微小步距角），所以要依据使用目的加以选择。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。用数组定义数据块的大小数据块的大小与数据块中定义的变量的个数和数据类型有关，如果需要一个容量很大的数据块，可以用数组来定义数据块的大小，如果在数据块中只定义一个数组ARRAR[1..500]，数组元素的数据类型为字，则该数据块的大小为100B。可以用地址和任意的简单数据了诶行来方位该数据块中的存储单元。若方位数据块中未定义的地址，将会出现错误信息“读取时发生区域长度错误”。设置数据块参数：鼠标右键点击数据块，选择对象属性，出现如下图所示，具体如何设置参见帮助。